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SQM110N06-04L
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
2.1
100
1.8
I D = 30 A
10
T J = 25 °C
V GS = 10 V
1.5
1.2
0.9
0.6
V GS = 4.5 V
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = - 50 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.05
0.04
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.8
0.4
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
0
0.03
- 0.4
I D = 5 m A
0.02
- 0.8
0.01
0
T J = 25 °C
T J = 150 °C
- 1.2
- 1.6
I D = 250 μA
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
80
I D = 10 mA
77
74
71
68
65
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
S11-2028-Rev. C, 17-Oct-11
4
Document Number: 68866
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